首页 > 商品目录 > > > > DMTH3004LPS-13代替型号比较

DMTH3004LPS-13  与  BSC050N03LS G  区别

型号 DMTH3004LPS-13 BSC050N03LS G
唯样编号 A-DMTH3004LPS-13 A-BSC050N03LS G
制造商 Diodes Incorporated Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 30V PWRDI5060
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 5.15mm
Rds On(Max)@Id,Vgs - 5mΩ
上升时间 - 4ns
Qg-栅极电荷 - 26nC
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 2370 pF @ 15 V -
栅极电压Vgs +20V,-16V 10V
正向跨导 - 最小值 - 38S
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 43.7 nC @ 10 V -
封装/外壳 PowerDI5060-8 -
工作温度 -55℃~175℃(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 22A(Ta),145A(Tc) 80A
配置 - SingleQuadDrainTripleSource
长度 - 5.9mm
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4.5V,10V
下降时间 - 3.6ns
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 2800pF @ 15V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 2.2V @ 250µA
高度 - 1.27mm
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 3.2W(Ta),136W(Tc) 50W
RdsOn(Max)@Id,Vgs 3.8mΩ@20A,10V -
典型关闭延迟时间 - 21ns
FET类型 N-Channel N-Channel
通道数量 - 1Channel
系列 - OptiMOS3
驱动电压 4.5V,10V -
典型接通延迟时间 - 5.2ns
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 35nC @ 10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
购买数量 点击询价 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMTH3004LPS-13 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 3.2W(Ta),136W(Tc) +20V,-16V PowerDI5060-8 -55℃~175℃(TJ) 30V 22A(Ta),145A(Tc)

暂无价格 0 当前型号
BSC050N03LSGATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSC050N03LS G_N 通道 8-PowerTDFN -55°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 对比
BSC052N03LSATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSC052N03LS_N 通道 8-PowerTDFN -55°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 对比
BSC050N03LS G Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSC050N03LSGATMA1_-55°C~150°C(TJ) 30V 80A 5mΩ 10V 50W N-Channel

暂无价格 0 对比
BSC052N03LS Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSC052N03LSATMA1_30V 57A 5.2mΩ 10V 28W N-Channel -55°C~150°C

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售